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Auteur Chahrazed Massaid |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesEtude de la fiabilité transistor MOSFT / Chahrazed Massaid (2023)
Titre : Etude de la fiabilité transistor MOSFT Type de document : theses et memoires Auteurs : Chahrazed Massaid, Auteur ; Ouiza Boussoum, Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I Année de publication : 2023 Importance : 32p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Transistor MOSFET NBTL PBTI SIO_2 SI MTBF Transistor bipolaire MOSFT. Résumé : Ce mémoire propose étude de fiabilité transistor MOSFET, on a explore en profondeur les concepts fondamentaux de fiabilité et de défaillance dans des systèmes, en mettant particulièrement l’accent sur le taux de défiance précoce ou de jeunesse les comment le transistor MOSFET évolué avec le temps. Les différents types de transistors MOSFET et leurs caractéristiques distinctives et leurs applications spécifiques.
Nous analysons leurs conditions de conduction.
L’analyse approfondie de la fiabilité des transistors.
L’oxyde des silicium garantir la fiabilité et la performance des transistors .Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37490 Etude de la fiabilité transistor MOSFT [theses et memoires] / Chahrazed Massaid, Auteur ; Ouiza Boussoum, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2023 . - 32p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Transistor MOSFET NBTL PBTI SIO_2 SI MTBF Transistor bipolaire MOSFT. Résumé : Ce mémoire propose étude de fiabilité transistor MOSFET, on a explore en profondeur les concepts fondamentaux de fiabilité et de défaillance dans des systèmes, en mettant particulièrement l’accent sur le taux de défiance précoce ou de jeunesse les comment le transistor MOSFET évolué avec le temps. Les différents types de transistors MOSFET et leurs caractéristiques distinctives et leurs applications spécifiques.
Nous analysons leurs conditions de conduction.
L’analyse approfondie de la fiabilité des transistors.
L’oxyde des silicium garantir la fiabilité et la performance des transistors .Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37490 Réservation
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