Titre :	Les Composants d'éléctronique de puissance : Etat de l'art
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	Marzouk Hadj Ali ; Akroun Sabrina Belabbas Nadjat ; Ahmed Nahi, Directeur de thèse
Editeur :	Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI
Année de publication :	2011
Importance :	88 p.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	Bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	BJT  JFET  Transistor  Mosfet  SCR  GIO  MCT.
Résumé :	Le travail que nous avons entrepris dans ce projet s’inscrit dans le cadre de l’étude des composants d’électronique de puissance, Ce projet passe en revue l'état de l’art de ces dispositifs et des précisions sur leur potentiel en termes de tensions plus élevées, la densité de puissance plus élevé. Les progrès dans la technologie des semi-conducteurs ont abouti l'augmentation des puissances commutées, la facilité de contrôle et le coût réduit des composants semi-conducteurs de puissance depuis moins d'une dizaine d'années, ils ont conduit à l'utilisation de convertisseurs de puissance dans un nombre d'applications toujours croissant. Cette montée en puissance a également ouvert un champ de nouvelles topologies pour les applications en électronique de puissance. À l'heure actuelle, l’IGCTs, l’IGBT et l’ETO représentent les dispositifs modernes de commutation. Mais leur stade de développement est limité, c’est ce qui à conduit les électroniciens à utiliser Les composants à base de carbure de silicium (Sic) apparaissent en 2002. Ceux à base de diamant sont encore à l'étude en 2004. Leurs fortes énergies d'ionisation permettent un blocage de tension plus élevée et/ou des fonctionnements
En ligne :	D:\CD THéSE 2011\LIC.PRO.ETH\HADJ ALI MARZOUK ,BELABBAS NADJAT, AKROUN SABRINA. [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=27684

Les Composants d'éléctronique de puissance : Etat de l'art [theses et memoires] / Marzouk Hadj Ali ; Akroun Sabrina Belabbas Nadjat ; Ahmed Nahi, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2011 . - 88 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	BJT  JFET  Transistor  Mosfet  SCR  GIO  MCT.
Résumé :	Le travail que nous avons entrepris dans ce projet s’inscrit dans le cadre de l’étude des composants d’électronique de puissance, Ce projet passe en revue l'état de l’art de ces dispositifs et des précisions sur leur potentiel en termes de tensions plus élevées, la densité de puissance plus élevé. Les progrès dans la technologie des semi-conducteurs ont abouti l'augmentation des puissances commutées, la facilité de contrôle et le coût réduit des composants semi-conducteurs de puissance depuis moins d'une dizaine d'années, ils ont conduit à l'utilisation de convertisseurs de puissance dans un nombre d'applications toujours croissant. Cette montée en puissance a également ouvert un champ de nouvelles topologies pour les applications en électronique de puissance. À l'heure actuelle, l’IGCTs, l’IGBT et l’ETO représentent les dispositifs modernes de commutation. Mais leur stade de développement est limité, c’est ce qui à conduit les électroniciens à utiliser Les composants à base de carbure de silicium (Sic) apparaissent en 2002. Ceux à base de diamant sont encore à l'étude en 2004. Leurs fortes énergies d'ionisation permettent un blocage de tension plus élevée et/ou des fonctionnements
En ligne :	D:\CD THéSE 2011\LIC.PRO.ETH\HADJ ALI MARZOUK ,BELABBAS NADJAT, AKROUN SABRINA. [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
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