Titre :	Cours de physique des semiconducteurs
Type de document :	texte imprime
Auteurs :	Bernard Grehant
Mention d'édition :	2e édition rev. et cor.
Editeur :	Paris : Eyrolles
Année de publication :	1990, cop. 1990
Importance :	(X-233 p.)
Présentation :	ill.
Format :	24 cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-212-09542-5
Note générale :	La couv. porte en plus : "Ecoles d'ingénieurs. B.T.S., I.U.T"
Langues :	Français
Mots-clés :	Semiconducteurs  Physique  Conduction  Jonction PN  Transistor bipolaire
Index. décimale :	537.622 Semi-conductivité
Résumé :
Note de contenu :	1 Etat solide 2 Conduction dans les solides 3 Jonction PN 4 Compléments de physique appliquée à l'étude des jonctions 5 Jonction P+N. Jonctions en régime dynamique 6 Jonction PN, manipulation 7 Transistor bipolaire 9 Transistor mos et composants dérivés 10 Structures mos intégrées. Rétention et transfert de charges 11 Transistor mos, manipulation
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=9680

Cours de physique des semiconducteurs [texte imprime] / Bernard Grehant  . -  2e édition rev. et cor. . - Paris : Eyrolles, 1990, cop. 1990 . - (X-233 p.) : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-212-09542-5
La couv. porte en plus : "Ecoles d'ingénieurs. B.T.S., I.U.T"
Langues : Français

Mots-clés :	Semiconducteurs  Physique  Conduction  Jonction PN  Transistor bipolaire
Index. décimale :	537.622 Semi-conductivité
Résumé :
Note de contenu :	1 Etat solide 2 Conduction dans les solides 3 Jonction PN 4 Compléments de physique appliquée à l'étude des jonctions 5 Jonction P+N. Jonctions en régime dynamique 6 Jonction PN, manipulation 7 Transistor bipolaire 9 Transistor mos et composants dérivés 10 Structures mos intégrées. Rétention et transfert de charges 11 Transistor mos, manipulation
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