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| Titre : | Les Transistors : éléments, d'intégration des circuits analogiques | | Type de document : | texte imprime | | Auteurs : | Joseph Blot | | Editeur : | Paris : Dunod | | Année de publication : | DL 1995, cop. 1995 | | Importance : | (X-373 p.) | | Présentation : | ill., couv. ill. en coul. | | Format : | 26 cm | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-10-002639-5 | | Note générale : | La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire". - Autre tirage : 2002. - La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Semiconducteurs Circuits intégrés:problèmes et exercices Amplificateurs à transistors Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Circuits intégrés Transistors Transistors:problèmes et exercices | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | Une moitié de cet ouvrage est réservé à la présentation des composants discrets : diodes, transistors à effets de champ et transistors bipolaires. L'autre moitié est consacrée à la résolution d'exercices : les sujets du chapitre 2 illustrent le cours sur les transistors à effet de champ, ceux du chapitre 3 permettent d'assimiler la théorie relative au fonctionnement du transistor bipolaire.
Les notions traitées dans les trois premiers chapitres figurent dans les programmes des premiers cycles d'études supérieures scientifiques. Pour les aborder, il suffit de bien maîtriser la loi d'Ohm et les théorèmes de transformation des réseaux électriques.
Le chapitre 4 consacré à la résolution d'une trentaine de sujets est orienté vers l'analyse des structures d'intégration des circuits analogiques qui interviennent, notamment, dans la réalisation des amplificateurs opérationnels. Ces notions concernent particulièrement les étudiants des seconds cycles à orientation EEA.
Les quelques sujets de manipulations proposés à la fin de l'ouvrage concrétisent de façon claire les principaux résultats du cours et mettent en exergue un grand nombre des exercices présentés dans cet ouvrage. | | Note de contenu : |
Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
1.1 Introduction
1.2Les diodes à semiconducteurs
1.3 Symboles graphiques et conditionnement
Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
2.1 Introduction
2.2 le FET à jonction ou JFET
2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
2.4 Polarisation
2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
2.6 Les interrupteurs à FET
2.7 Process 50 n-channel JFET
2.8 Exercices
Chapitre 3. Le transistor bipolaire
3.1 Introduction
3.2 Techniques de fabrication
3.3 Principe de fonctionnement
3.4 Transistor bipolaire en commutation
3.5 Polarisation
3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
3.7 Caractéristiques du CA3086
3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
4.1 Introduction
4.2 Combinaisons de type cascode
4.3 Combinaisons de type darlington
4.4 La structure push-pull
4.5 Charges actives
4.6 Cellule différentielle
4.7 Liaisons directes et translation de tension
4.8 Exercices de synthèse
4.9 Travaux pratiques
| | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=10912 |
Les Transistors : éléments, d'intégration des circuits analogiques [texte imprime] / Joseph Blot . - Paris : Dunod, DL 1995, cop. 1995 . - (X-373 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 26 cm. ISBN : 978-2-10-002639-5 La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire". - Autre tirage : 2002. - La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire Langues : Français | Mots-clés : | Semiconducteurs Circuits intégrés:problèmes et exercices Amplificateurs à transistors Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Circuits intégrés Transistors Transistors:problèmes et exercices | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | Une moitié de cet ouvrage est réservé à la présentation des composants discrets : diodes, transistors à effets de champ et transistors bipolaires. L'autre moitié est consacrée à la résolution d'exercices : les sujets du chapitre 2 illustrent le cours sur les transistors à effet de champ, ceux du chapitre 3 permettent d'assimiler la théorie relative au fonctionnement du transistor bipolaire.
Les notions traitées dans les trois premiers chapitres figurent dans les programmes des premiers cycles d'études supérieures scientifiques. Pour les aborder, il suffit de bien maîtriser la loi d'Ohm et les théorèmes de transformation des réseaux électriques.
Le chapitre 4 consacré à la résolution d'une trentaine de sujets est orienté vers l'analyse des structures d'intégration des circuits analogiques qui interviennent, notamment, dans la réalisation des amplificateurs opérationnels. Ces notions concernent particulièrement les étudiants des seconds cycles à orientation EEA.
Les quelques sujets de manipulations proposés à la fin de l'ouvrage concrétisent de façon claire les principaux résultats du cours et mettent en exergue un grand nombre des exercices présentés dans cet ouvrage. | | Note de contenu : |
Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
1.1 Introduction
1.2Les diodes à semiconducteurs
1.3 Symboles graphiques et conditionnement
Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
2.1 Introduction
2.2 le FET à jonction ou JFET
2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
2.4 Polarisation
2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
2.6 Les interrupteurs à FET
2.7 Process 50 n-channel JFET
2.8 Exercices
Chapitre 3. Le transistor bipolaire
3.1 Introduction
3.2 Techniques de fabrication
3.3 Principe de fonctionnement
3.4 Transistor bipolaire en commutation
3.5 Polarisation
3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
3.7 Caractéristiques du CA3086
3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
4.1 Introduction
4.2 Combinaisons de type cascode
4.3 Combinaisons de type darlington
4.4 La structure push-pull
4.5 Charges actives
4.6 Cellule différentielle
4.7 Liaisons directes et translation de tension
4.8 Exercices de synthèse
4.9 Travaux pratiques
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