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Auteur Philippe Leturcq |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesPhysique des composants actifs à semiconducteurs [Texte imprimé] / Philippe Leturcq (1978)
Titre : Physique des composants actifs à semiconducteurs [Texte imprimé] Type de document : texte imprime Auteurs : Philippe Leturcq ; Gérard Rey Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 1978 Collection : Dunod université, ISSN 0750-2435 Importance : (XI-166 p.) Présentation : fig., graph. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-04-010385-9 Note générale : Index Langues : Français Mots-clés : Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Semiconducteurs Composants électroniques Junction transistors Résumé : Sommaire :
Chapitre premier. Rappels de physique électronique des semiconducteurs
Chapitre 2. Introduction à la physique des dispositifs
Chapitre 3. Jonctions, diodes et redresseurs en régime statique
Chapitre 4. Jonction en régime dynamique
Chapitre 5. eléments de technologie
Chapitre 6. DIspositifs à injection
Chapitre 7. Composants à effet de champ
Chapitre 8. ComplémentsPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9699 Physique des composants actifs à semiconducteurs [Texte imprimé] [texte imprime] / Philippe Leturcq ; Gérard Rey . - Paris : Dunod, 1978 . - (XI-166 p.) : fig., graph. ; 24 cm. - (Dunod université, ISSN 0750-2435) .
ISBN : 978-2-04-010385-9
Index
Langues : Français
Mots-clés : Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Semiconducteurs Composants électroniques Junction transistors Résumé : Sommaire :
Chapitre premier. Rappels de physique électronique des semiconducteurs
Chapitre 2. Introduction à la physique des dispositifs
Chapitre 3. Jonctions, diodes et redresseurs en régime statique
Chapitre 4. Jonction en régime dynamique
Chapitre 5. eléments de technologie
Chapitre 6. DIspositifs à injection
Chapitre 7. Composants à effet de champ
Chapitre 8. ComplémentsPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9699 Réservation
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Titre : Théorie approfondie du transistor bipolaire Type de document : texte imprime Auteurs : Rey Gérard, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc. Editeur : Paris : Masson Année de publication : 1972 Importance : (X-248 p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-225-33594-5 Note générale :
Notes bibliogr. Index
Langues : Français Mots-clés : Transistors bipolaires Transistors Index. décimale : 621.381 Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10869 Théorie approfondie du transistor bipolaire [texte imprime] / Rey Gérard, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc. . - Paris : Masson, 1972 . - (X-248 p.) : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-225-33594-5
Notes bibliogr. Index
Langues : Français
Mots-clés : Transistors bipolaires Transistors Index. décimale : 621.381 Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10869 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG114/1 EG114 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
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